对瞬变电压的吸收功率(峰值)与瞬变电压脉冲宽度间的关系，手册给的只是特定脉宽下的吸收功率(峰值)，而实际线路中的脉冲宽度则变化莫测，事前要有估计，对宽脉冲应降额使用。
分类：产品知识 日期：2024-09-19 浏览：355 查看 »
工作时，栅源之间不加电压，同增强型MOS管不同，漏源之间存在导电沟道，因此只要在漏源之间加正向电压，就会产生漏极电流。
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导通时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。
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工作时，栅源之间不加电压时，漏源之间PN结是反向的，所以不存在导电沟道，即使漏源之间加了电压，导电沟电是关闭的，就不会有电流通过。
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为了解决MOS管发热问题，要准确判断是否是以上几种原因造成，更重要的是对开关管功率损耗进行正确的测试，才能发现问题所在，从而找对改善的关键点。
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MOS的英文全称就是MOSFET,其中后缀FET是场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写，FET是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。
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以我们平时最常见的电源供电为例，配置的电压为5伏特，电流为2安培。在常规情况下，二极管它是串联在电路当中，用来保护后级电路免受电源反接损坏。
分类：产品知识 日期：2024-09-19 浏览：350 查看 »
